nand技术 什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于nand技术的问题，于是小编就整理了6个相关介绍nand技术的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

1. 什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?
2. DRAM与NAND的区别
3. 美光业界首发232层3DNAND闪存!计划明年投产
4. 存储芯片nand和dram区别
5. 固态硬盘是nand还是nor
6. ...800MB/s 的传输速度啊!MOSAID 发表第2代 HyperLink NAND 技术...

一、什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。

区别

1、闪存芯片读写的基本单位不同 

应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。

应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。

2、应用不同

NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

3、速度不同

N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。

参考资料来源：

二、DRAM与NAND的区别

　　DRAM与NAND的区别是：

　　1、DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）。

　　2、NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

三、美光业界首发232层3DNAND闪存!计划明年投产

近日，美光公司发布了业界首个具有232层的3DNAND闪存，并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品。
据悉，这种232层的3DNAND闪存采用3DTLC架构，原始容量为1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND的字符串堆叠技术。
CuA架构的设计，配合232层的高堆叠，有效减少了1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸，有望降低产品的生产成本，提升竞争力。
美光目前并未宣布232层3DTLCNANDIC的I/O速度或平面数量，但从透露的信息来看，新的内存应该会提供更高的性能，这对采用PCIe5.0接口的下一代SSD来说，无疑是一个好消息。
在具体的产品层面上，美光的技术和产品执行副总裁ScottDeBoer称，公司目前已经与第三方NAND控制器开发者达成合作，从而实现对新型内存的支持。
此外，美光表示，预计将在2022年底开始生产232层3DTLCNAND闪存，按此计划，采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面。

四、存储芯片nand和dram区别

工作原理不同、速度和容量不同。
1、工作原理：NAND使用了一种称为浮栅（floatinggate）的技术，通过在电介质中存储电荷来表示数据的逻辑状态，DRAM则使用了电容器和逻辑门的组合，通过在电容器中存储电荷来表示数据的逻辑状态。
2、速度和容量：DRAM的读写速度相对较快，适用于需要高速读写的应用，如计算机内存，NAND的读写速度相对较慢，但容量较大，适用于存储大量数据的应用，如固态硬盘（SSD）和闪存存储卡。

五、固态硬盘是nand还是nor

固态硬盘（SSD）一般采用 NAND 闪存作为存储介质。

NAND 闪存是一种非易失性存储器件，通常用于大容量数据存储，如固态硬盘、USB闪存驱动器等。与 NOR 闪存不同，NAND 闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度。

由于 NAND 闪存具有更优秀的价格性能比和大容量存储能力，因此它已成为固态硬盘中的主流存储介质。同时，随着 NAND 闪存技术不断发展，固态硬盘等应用的性能和可靠性也在逐步提升。

六、...800MB/s 的传输速度啊!MOSAID 发表第2代 HyperLink NAND 技术...

（图片来源：MarketWire） 一直以来NANDFlash的发展就是朝三个大方向发展：

制程微缩容量提升传输变快 其中制程微缩方面SSDM2011大会上已经有人提出解决方案了（这里），在容量方面，512Gb的NANDFlash也出来一段时间了（不过贵到爆，约美金120元，几乎没有流通），那么传输方面有没有甚么搞头呢？

在提到这个之前，可能要先从MCP封装跟NANDFlash的传输规格说起。MCP封装（MultiChipPackage，中译多晶片封装），这是一种将不同的记忆体整合成单一颗晶片组的封装方式，原本是大量使用在手机跟智慧型手机上的封装方式，通常是用一颗NORFlash加上一颗MobileRAM的组合居多。但是近几年，Samsung开始大力推动NANDFlash规格的MCP晶片，所以现在Sandisk跟Toshiba也在积极地发展MCPNANDFlash晶片，像是Sandisk的ISSD（这里）以及Toshiba的MCP记忆体（这里）等等，至于传输规格方面，目前NANDFlash有两个主要的传输规格：Intel跟Micron还有Sandisk所主导的ONFI（OpenNANDFlashInterface）规格Toshiba跟Samsung所主导的DDRToggle规格 目前这两个规格都宣称最大传输速率可以达到400MB/s，所以我们不难发现随着MCP晶片的发展以及新的传输规格的开发与制定，固态储存装置在「速度」上的发展将远远超越「容量」的发展，而固态储存装置的「定位」上也将越来越清晰。

回头来讲今天要介绍的HyperLinkNAND晶片（以下简称：HLNAND），HLNAND晶片其实也是MCPNANDFlash晶片的一种

从这张图可以看到，所谓的HLNAND晶片，就是8颗标准的FlashDie（颗粒）加上一颗MOSAID自家开发的HLNANDBridge晶片一起封装而成的MCP晶片，对非此产业的人听起来很玄，如果要用一个比较好理解的比喻的话，就好像是你拿8颗FlashDie去跑RAID0的感觉，因此相较于DDRToggle2.0规格的最高每秒400MB传输速率，HLNAND2可以提供800MB/秒的传输速率，也就是说足足要快上一倍。

不过，这样的速度可是用8颗FlashDie叠出来的，所以价格跟同容量的一般NANDFLASH相比只怕也要贵上八倍………当然，这对那些属于高端应用，对没事直接烧钞票来煮咖啡的特殊产业来说，这样一颗NANDFlash可以变出来的把戏可多了，不管是各种小型嵌入式系统的应用、超高速SSD的开发或是智慧型家电的开发等等，我想大家还是可以期待的吧^^"

想了解更多的话，可以看官网：这里编按：感谢VIPACGFAN的热心贡献[责任编辑：Sagat.Y]

到此，以上就是小编对于nand技术的问题就介绍到这了，希望介绍关于nand技术的6点解答对大家有用。